2025年6月6日，美光科技在愛達(dá)荷州博伊西市宣布，全球首款基于1γ制程節(jié)點(diǎn)的LPDDR5X內(nèi)存正式進(jìn)入樣品交付階段。這項(xiàng)突破性技術(shù)將重新定義移動(dòng)AI體驗(yàn)，其10.7Gbps的傳輸速率，配合20%的功耗優(yōu)化，使智能手機(jī)在執(zhí)行AI翻譯、圖像生成等任務(wù)時(shí)獲得顯著性能提升。實(shí)測數(shù)據(jù)顯示，導(dǎo)航語音翻譯響應(yīng)速度提升超50%，餐廳推薦響應(yīng)加速30%，汽車采購建議處理效率提高25%。

在物理封裝方面，美光工程師通過創(chuàng)新設(shè)計(jì)將內(nèi)存厚度壓縮至0.61毫米，較競品薄6%，較前代產(chǎn)品降低14%高度。這一突破為折疊屏設(shè)備提供了關(guān)鍵的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)空間。作為美光首款采用EUV光刻技術(shù)的移動(dòng)內(nèi)存解決方案，該產(chǎn)品整合了新一代HKMG晶體管技術(shù)，延續(xù)了公司今年二月發(fā)布的1γ DDR5數(shù)據(jù)中心內(nèi)存技術(shù)路線。美光企業(yè)副總裁暨手機(jī)和客戶端業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理 Mark Montierth 表示：“美光基于 1γ（1-gamma）節(jié)點(diǎn)的 LPDDR5X 內(nèi)存將為移動(dòng)行業(yè)帶來顯著變革。這項(xiàng)突破性技術(shù)憑借業(yè)界超薄的 LPDDR5X 封裝實(shí)現(xiàn)了卓越的速率和能效，為新一代智能手機(jī)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)開辟新契機(jī)。該解決方案彰顯了美光致力于賦能生態(tài)系統(tǒng)、打造非凡移動(dòng)體驗(yàn)的承諾?！?/p>

技術(shù)實(shí)現(xiàn)路徑上，該產(chǎn)品采用先進(jìn)的CMOS工藝和EUV光刻圖案化技術(shù)，使存儲(chǔ)密度獲得顯著提升。隨著端側(cè)AI計(jì)算需求增長，低功耗芯片已成為智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備的關(guān)鍵組件。美光1γ-LPDDR5X內(nèi)存的20%功耗優(yōu)化，直接轉(zhuǎn)化為終端用戶可感知的續(xù)航提升，使AI應(yīng)用、游戲等場景的使用時(shí)長顯著延長。

市場布局方面，美光已向核心合作伙伴交付16GB工程樣品，并計(jì)劃在2026年為旗艦智能手機(jī)提供8GB-32GB全系產(chǎn)品。值得注意的是，該技術(shù)平臺(tái)展現(xiàn)出跨領(lǐng)域應(yīng)用潛力，其高能效特性已吸引智能汽車、AI PC和數(shù)據(jù)中心廠商的關(guān)注。在Llama 2等大語言模型測試中，其性能表現(xiàn)驗(yàn)證了美光在移動(dòng)內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，為端側(cè)AI計(jì)算革命提供了關(guān)鍵支撐。